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等離子磁控濺射鍍膜儀系列
- 關(guān)鍵字：
- 射頻/直流可選 1/2英寸靶頭可選 單靶 靶臺(tái)MAX500 ℃
- 型號(hào)：
- VTC-1RF/2RF/2DC
- 產(chǎn)品概述：
- 等離子磁控濺射系統(tǒng)，可涂覆非金屬（主要是氧化物）薄膜。集成式組件，包括RF電源，石英真空室等。適用于在研發(fā)中濺射非導(dǎo)電或氧化物材料的薄膜。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品提示
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1、多種配件可選提示 2、特殊設(shè)備尺寸設(shè)備 3、科晶實(shí)驗(yàn)室邀請(qǐng)?zhí)崾?/a> 4、配件妥善保管提示 |
| 名稱(chēng)
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? 1英寸100W射頻磁控濺射鍍膜儀 | ? 2英寸300W射頻磁控濺射鍍膜儀 | ? 2英寸500W直流等離子磁控濺射鍍膜儀 |
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| 型號(hào)
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? VTC-1RF | ? VTC-2RF | ? VTC-2DC |
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| 主要參數(shù)
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? 輸入電源：220V AC 50/60Hz ? 最高使用功率：100W ? 靶頭數(shù)量：?jiǎn)蝹€(gè)1英寸磁控濺射靶 ? 設(shè)備功率：800W（包括真空泵） ? 樣品臺(tái)加熱溫度：500℃ | ? 輸入電源：220V AC 50/60Hz ? 整機(jī)功率：1000W（包括真空泵） ? 射頻電源最高使用功率：300W ? 靶頭數(shù)量：?jiǎn)蝹€(gè)2英寸磁控濺射靶頭 ? 樣品臺(tái)加熱溫度：500℃ | ? 輸入電源：220V AC 50Hz ? 輸出電壓：600 VDC ? 輸出功率：最大500W ? 整機(jī)功率：1200W（包括真空泵） ? 樣品臺(tái)加熱溫度：500℃ |
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| 濺射頭&樣品臺(tái)
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? 一個(gè)1英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接 ? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼可旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)，其與濺射頭之間距離可調(diào) ? 濺射頭角度可調(diào) ? 樣品臺(tái)可加熱，加熱溫度室溫-500℃ ? 安裝有一可手動(dòng)操作的擋板 ? 最大可制膜的直徑為:4英寸 ? 可以單獨(dú)訂購(gòu)RF連接線作為備用 ? 設(shè)備包含一臺(tái)水冷機(jī)，用于靶頭冷卻
| ? 一個(gè)2英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接 ? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼可旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)，其與濺射頭之間距離可調(diào) ? 樣品臺(tái)可加熱，加熱溫度室溫-500℃ ? 安裝有一可手動(dòng)操作的擋板
| ? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼樣品臺(tái)，其與濺射頭之間距離可調(diào) ? 樣品臺(tái)可加熱，加熱溫度RT-500℃（RT為室溫） ? 安裝有一可手動(dòng)操作的擋板 ? 最大可制膜的直徑為:2英寸（標(biāo)配2英寸，如果需要更大尺寸請(qǐng)與我們銷(xiāo)售聯(lián)系）
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   圖一 圖二 圖三   圖四 圖五
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| 濺射電源
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設(shè)備有兩種射頻電源可選分別為： ? 300W自動(dòng)匹配射頻電源 ? 100W的手動(dòng)匹配射頻電源
 
| 該設(shè)備有一種直流電源可選： ? 直流電源DC 500W |
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| 靶材
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? 靶材尺寸要求：Φ50mm×(0.1-3) mm(厚度) 
| ? 靶材尺寸要求：Φ50mm×(0.1-5)mm(厚度) 
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| 濺射腔體
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? 采用石英腔體，尺寸：166 mm OD×150 mm ID×250 mm H ? 密封法蘭:直徑為174 mm，采用金屬制作，密封采用O形密封圈
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| 真空系統(tǒng)
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? 安裝有KF25真空接口 ? 數(shù)字真空壓力表（Pa） ? 此系統(tǒng)運(yùn)行可通入氣體運(yùn)行（可在本公司選購(gòu)各種真空泵） （1）采用機(jī)械泵<1.0E-2 Torr（參考值，詳情請(qǐng)點(diǎn)擊） （2）采用渦旋分子泵<1.0E-5 Torr（參考值，詳情請(qǐng)點(diǎn)擊）
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| 產(chǎn)品外形及尺寸
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? 550*550*1100（長(zhǎng)*寬*高） |
| 進(jìn)氣
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? 設(shè)備上配1/4英寸進(jìn)氣口方便連接氣瓶 ? 設(shè)備前面板上裝有一氣流調(diào)節(jié)旋鈕，方便調(diào)節(jié)氣流
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| 薄膜測(cè)厚儀（可選）
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? 可在本公司選購(gòu)薄膜測(cè)厚儀安裝在濺射儀上    |
| 質(zhì)保
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? 一年保修，終身技術(shù)支持。 ? 特別提示： 1.耗材部分如加熱元件，石英管，樣品坩堝等不包含在內(nèi)。
2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。
點(diǎn)擊查看售后服務(wù)承諾書(shū)
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| 認(rèn)證
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·此產(chǎn)品已通過(guò)CE認(rèn)證 證書(shū)編號(hào)：M.2021.206.C67994 ·若客戶出認(rèn)證費(fèi)用，本公司保證單臺(tái)設(shè)備通過(guò)德國(guó)TUV認(rèn)證或CAS認(rèn)證 
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實(shí)驗(yàn)室參考案例 |
科晶實(shí)驗(yàn)室用此設(shè)備做出的部分結(jié)果，以供您參考。詳細(xì)信息，請(qǐng)點(diǎn)擊我們的實(shí)驗(yàn)報(bào)告
濺射氧化鋅薄膜 基底采用：藍(lán)寶石（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ1”×2.5mm高純ZnO陶瓷靶 
XRD薄膜高分辨圖 | 濺射ITO薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純ITO靶 功率：260W 
EDS元素成分定性、定量分析圖 | 濺射Mg薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純Mg靶 功率：80W 
EDS元素成分定性、定量分析圖
| 濺射Sc薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純Sc靶 功率：100W 
EDS元素成分定性、定量分析圖 | 濺射Pd薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純Pd靶 功率：100W 
EDS元素成分定性、定量分析圖
| 濺射Ti薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純Ti靶 功率：100W 
EDS元素成分定性、定量分析圖 | 濺射Mo薄膜
基底采用：Si（多晶硅）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×0.5mm高純Mo靶 功率：90W 
XRD薄膜高分辨圖 | 濺射Pt薄膜
基底采用：Si（多晶硅）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純Pt靶 濺射方式：直流濺射 
XRD薄膜高分辨圖 | 濺射CoFeB（鈷鐵硼）薄膜 基底采用Si（多晶硅）基片（5*5*1mm3）
靶材采用：φ2“×0.6mm高純CoFeB靶
預(yù)濺射：80w 50mtorr 10min
濺射：180w 20mtorr 30min 
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更多參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系科晶實(shí)驗(yàn)室 實(shí)驗(yàn)案例照片（點(diǎn)擊大圖查看詳情）
氧化鋅 |
ATO |
ITO |
碲化鉍 |
鉑 |
金 |
銀 |
銅 |
鋁 |
鎂 |
 
鉬 |
 
鉑 |
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應(yīng)用技術(shù)提示 | 1、為了保證濺射效果，非導(dǎo)電靶材必須安裝銅墊塊
2、有時(shí)為了達(dá)到理想的薄膜厚度，可能需要多次濺射鍍膜 3、為了得到較好的薄膜質(zhì)量，必須通入高純氣體（建議> 5N） 4、在濺射鍍膜前，確保濺射頭、靶材、基片和樣品臺(tái)的潔凈 5、要達(dá)到薄膜與基底良好結(jié)合，請(qǐng)?jiān)跒R射前清潔基材表面 6、在分子泵出口安裝有一個(gè)可手動(dòng)操作的擋板 超聲波清洗：（1）丙酮超聲（2）異丙醇超聲-去除油脂（3）吹氮?dú)飧稍铮?）真空烘箱除去水分。 等離子清洗（詳細(xì)參數(shù)點(diǎn)擊下面圖片）：可表面粗糙化，可激活表面化學(xué)鍵，可祛除額外的污染物。 制造一個(gè)薄的緩沖層（5納米左右）：如Gr，Ti，Mo，Ta，可以應(yīng)用于改善金屬和合金的附著力。 |
警示 | 注意：產(chǎn)品內(nèi)部安裝有高壓元件，禁止私自拆裝，帶電移動(dòng)機(jī)體。
1、1英寸靶頭最大使用功率為100W 2、2英寸靶頭最大使用功率為300W 3、氣瓶上應(yīng)安裝減壓閥（設(shè)備不包括），保證氣體的輸出壓力限制在0.02兆帕以下，以安全使用。 4、濺射頭連接到高電壓。為了安全，操作者必須在關(guān)閉設(shè)備后才能進(jìn)行裝樣和更換靶頭等操作。 5、請(qǐng)勿在易燃易爆氣體環(huán)境下使用該設(shè)備 6、請(qǐng)勿在潮濕的環(huán)境下使用該設(shè)備 7、機(jī)體上禁止放置茶杯等裝有液體的器物 8、禁止儀器通電狀態(tài)下去拔插電源插頭 |
相關(guān)產(chǎn)品
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