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1英寸高真空磁控濺射頭
型號:
HVMSS-SPC-1-LD
產(chǎn)品概述:
HVMSS-SPC-1-LD是一款磁控濺射頭,可安裝直徑為1英寸的靶材??膳c直流、脈沖直流和射頻電源相匹配,以至于可以濺射各種靶材(如金屬、陶瓷、磁性和非磁性靶材等)。而且高真空的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可提高鍍膜質(zhì)量。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
特點(diǎn)

· 采用高質(zhì)量的不銹鋼和陶瓷材料制作

· 采用電磁場的有元計(jì)算法來設(shè)計(jì)永磁體,以得到較高的磁場強(qiáng)度和均強(qiáng)場分布

· 磁體表面涂有一層保護(hù)層,以防止冷卻水的腐蝕,延長其使用壽命

· 標(biāo)準(zhǔn)的HN型接頭,可與DC和RF電源相匹配

· 安裝是采用標(biāo)準(zhǔn)真空接頭,便于操作

· 更換靶材較為簡單,無需調(diào)整濺射頭的高度

配有一塊銅靶

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濺射頭

· 濺射頭的直徑:46.3mm

· 所用靶的直徑:1.0 ± 0.02"(25.4mm)

· 靶材的最大厚度: 1/8" (3mm) 

· 磁環(huán):NdFeB稀土永磁鐵      

桿的直徑:      3/4" O.D.

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所需功率

DC (最大) 250 W

RF (最大)100 W

最大陰極濺射電流

3A

陰極濺射電流

200 - 1,000 V

可選壓力范圍

~1 mTorr 至1 Torr

濺射厚度均勻性圖

· wps3.png

· 注意:此圖是采用磁控濺射得的到一個(gè)200nm的薄膜,所用靶材為1英寸的銅靶。薄膜是沉積在氧化的硅片上,實(shí)驗(yàn)參數(shù)為:

· 功率:直流150W

· 真空環(huán)境:10mTorr(Ar)

靶材與基片的距離:75mm


水冷卻

· 所需水流量: 1/2 GPM

· 進(jìn)水溫度:<20 ℃

水管接頭:0.25" O.D快插頭

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接頭

· 電路連接接頭:標(biāo)準(zhǔn)的HN型接頭,可與DC和RF電源相匹配

· 本公司會贈送一高真空快速接頭

· 此快速接頭的內(nèi)徑為0.75",可將濺射頭安裝在真空腔體上,真空腔體上的安裝孔直徑為1英寸,真空腔體的壁厚不得大于1英寸
 

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產(chǎn)品長度

14英寸(355.6mm)

產(chǎn)品重量

1.36kg

傾斜裝置

· 濺射頭相對于桿最大可傾斜+/- 45度

· 傾斜裝置上有刻度線,可觀察到靶頭傾斜的角度

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可選配件

· 循環(huán)水冷機(jī),流量為16L / min ,水箱容積為6L

本公司可提供各種配件可與HVMSS-SPC-1-LD配套,讓客戶自己搭建磁控濺射儀

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質(zhì)保期

一年質(zhì)保期終身維護(hù)

應(yīng)用

· 在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜,下面是一些應(yīng)用:

· 薄膜涂覆

· 半導(dǎo)體器件

· 磁記錄介質(zhì)

· 超導(dǎo)薄膜

· 量子計(jì)算器件

· MEMS

· 生物傳感器

· 納米技術(shù)

· 超晶格

· 顆粒膜

· 記憶合金

· 組合薄膜沉積

光學(xué)薄膜

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