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1100度雙溫區(qū)直空/氣氛快速升降溫RTP爐(紅外燈管加熱 升溫速度:50度/S)
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紅外加熱,快速升降溫,快速退火爐,RTP,快速熱蒸鍍
型號:
OTF-1200X-IR-IISL
產(chǎn)品概述:
OTF-1200X-IR-IISL是一款雙溫區(qū)紅外加熱快速熱處理爐,其爐管直徑為4英寸。此款設(shè)備可使樣品最大升溫速率達到50℃/S,此款設(shè)備不僅可對樣品進行快速熱處理,還可采用HPCVD方法來生長二維晶體(一個加熱區(qū)用來盛放固體蒸發(fā)原料,另一個加熱區(qū)用于沉積樣品)。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
設(shè)備名稱

1100度雙溫區(qū)直空/氣氛快速升降溫RTP爐(紅外燈管加熱 升溫速度:50度/S) (2019.12.24—科晶實驗室審核)

產(chǎn)品提示

1、多種配件可選提示   2、科晶實驗室邀請?zhí)崾?/span>   3、配件妥善保管提示

主要特點

· 采用短波紅外燈管對樣品加熱,可達到快速加熱的效果。

· 雙溫區(qū)快速升溫,最高達50℃/s。

· 超大管徑φ110mm。

· 最高溫度可達1100℃。

· 雙層殼體結(jié)構(gòu),并帶有風冷系統(tǒng),可有效降低殼體表面溫度。

· 內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率,同時也可以延長儀器的使用壽命。

· 法蘭上安裝有滑軌可直接推拉操作。

· 開門斷電,提高實驗安全性。

· 可選裝波紋管推拉式伸縮架,樣品架可在內(nèi)部伸縮式波紋管中滑動,實現(xiàn)在真空或受控氣氛下實現(xiàn)快速加熱或冷卻。

基本參數(shù)

·最大1100oC,持續(xù)時間<10分鐘

·最大1000oC,持續(xù)<20分鐘(注意:如果運行時間更長,爐殼將>100oC,必須使用風扇從外部冷卻爐殼)

·最大800oC,持續(xù)時間<120分鐘

·連續(xù)溫度最高600oC

· 法蘭:KF-25D型不銹鋼高真空法蘭                          

· 加熱元件:16根紅外燈管(每根1.5KW)    

· 最大功率:24KW      

· 設(shè)備電源:AC380V/50HZ 單相 

· 循環(huán)水流量:0.5 m3/h



更多參數(shù)請聯(lián)系科晶銷售部

真空法蘭

· 不銹鋼真空法蘭安裝在爐管的兩端,便于組裝,法蘭上有1/4英寸直徑的通孔,用于插入K型熱電偶。

· 法蘭端提供多種接頭可選,具體請咨詢銷售。


圖片12.png    

溫控系統(tǒng)

· 采用PID方式調(diào)節(jié)溫度,可設(shè)置50段升降溫程序

· 溫控儀表中帶有過熱和斷偶保護

· 儀表控溫精度: +/- 1°C

· 熱電偶型號:K型

開門斷電

· 為保證使用安全,該電爐為開門斷電設(shè)計


  

質(zhì)保

· 一年保修,終身技術(shù)支持。
· 特別提示:1.耗材部分如加熱元件,石英管,樣品坩堝等不包含在內(nèi)。

             2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。


點擊查看售后服務(wù)承諾書。


科晶實驗室對OTF-1200X-4-RTP設(shè)備的追溫溫差和恒溫精度做了一系列實驗研究,得出以下經(jīng)驗以供參考:


1)升溫速率越慢,控溫精度越高,升溫速率越快,追溫溫差越大。

升溫速率

追溫溫差

控溫精度恒溫精度

1℃/s

< 5℃

+-0.5℃

2℃/s

< 10℃

+-1℃

50℃/s

溫差較大,但30s內(nèi)恒溫

+-1℃



2)570℃以下降溫不可控。

降溫速率

可控溫度情況(參考)

40℃/min

570℃以上,可控制降溫

60℃/min

600℃以上,可控制降溫且誤差<5℃,600℃-570℃,誤差<10℃





實驗名稱:RTP快速升溫爐的升溫速度與最終溫度間的可調(diào)關(guān)系

實驗?zāi)康模?/strong>1、升溫速度能否保持恒定;

2、恒溫波動是否小于1℃;

3、實現(xiàn)目的:保持一定的升溫速度,待到達恒溫溫度時,升溫速度減緩的溫度點越接近恒溫溫度越好。

適用領(lǐng)域:鐵磁性材料的制備

實驗結(jié)果:

100℃/min,到400℃

斜率基本恒定;沖溫<1℃;升速減緩點在398℃

100-400.png

100℃/min,到700℃

斜率基本恒定;沖溫<1℃;升速減緩點在698℃

100-700.png

400℃/min,到400℃

斜率基本恒定;沖溫≤1℃;升速減緩點在395℃

400-400.png

400℃/min,到700℃

斜率基本恒定;沖溫≤1℃;升速減緩點在395℃

400-700.png

300℃/min,到700℃

斜率基本恒定;沖溫≤1℃;升速減緩點在795℃

300-700.png

600℃/min,到700℃

斜率基本恒定;沖溫≤2℃;升速減緩點在790℃

600-700.png

以上數(shù)據(jù)總結(jié),存在調(diào)試差異,具體詳情請聯(lián)系合肥科晶實驗室

應(yīng)用技術(shù)提示

· 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥。

· 進入爐管的氣體流量需小于200sccm,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊。

· 該設(shè)備的長時間使用溫度為600℃。

· 降溫時請利用程序降溫,不建議直接按“STOP”鍵降溫,設(shè)備溫度未降到室溫前不要直接關(guān)掉設(shè)備電源,防止出現(xiàn)安全問題。

· 在進行化學氣相沉積后,石墨烯可從金屬催化劑轉(zhuǎn)移到另一個基片襯底上,此法可被廣泛應(yīng)用制備二維材料。通過CVD法生長的石墨烯,表面平整度高且無殘渣。

· 此爐可以增加鍍SiC的石墨坩堝改造成RTE(快速熱蒸發(fā))爐(可查看下方的圖片自己制備RTE)

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注意事項

· 當爐體溫度高于200℃時,請一定連接并運行水冷機,防止對設(shè)備造成損壞。

· 當爐體溫度高于900℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態(tài)。

· 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa。

· 爐管不建議正壓使用,對于樣品加熱的實驗,不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂,法蘭飛出等)。

可選配件

· 紅外燈管為可更換的(圖1),如有需要請聯(lián)系我們的銷售人員。

· 樣品架可選:3"O.D的石墨襯底替代AlN陶瓷片。(圖2)

· 可選:將含坩堝蓋蓋規(guī)格為87 O.D×71 I.D×12 H mm的石墨坩堝設(shè)計三個坩堝架,則可被改造成一個RTE,CSS或HPCVD爐,另外石墨坩堝表面涂有SiC涂層。(圖3)

· 多種供氣系統(tǒng)可選。(圖4)

· 建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全。(請點擊這里學習如何安裝減壓閥)(圖5)

· 可選購壓力控制模塊來監(jiān)控并保持工作腔室壓力穩(wěn)定。(圖6)


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圖1                          圖2                             圖3


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圖4                            圖5                             圖6

伸縮式波紋管推拉架 (選配)

· 可改造波紋管推拉式伸縮架,樣品架可在內(nèi)部伸縮式波紋管中滑動,實現(xiàn)在真空或受控氣氛下實現(xiàn)快速加熱或冷卻。


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PC控制(選配)

· 請在購買爐子前,準備一臺電腦。

· 可選購MTS-02?控制軟件,可在電腦上顯示和設(shè)定壓力和溫度程序,以達到遠程控制。

· 購買帶有PC控制的加熱爐,如有疑問請聯(lián)系我們的銷售人員。


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水冷機(選配)

· 可選購水冷機降低法蘭總成溫度,避免高溫密封硅膠圈融化。


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真空配件(選配)

· 真空可選配件包括真空泵,波紋管和手動擋板閥。


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· 對于易損耗件高溫硅膠O型密封圈除了標配數(shù)量外可進行額外訂購。



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· 機械真空計(作為設(shè)備標配),范圍從-0.1到0.15Mpa。

· 可選配防腐型數(shù)顯真空表,測量范圍為3.8×10E -5至1125 Torr之間。除了具有較高的精度和重復(fù)性及較短的響應(yīng)時間外,該儀表還降低了由于氣體類型依賴性而造成的氣壓讀數(shù)錯誤從而導(dǎo)致的腔室爆炸風險。


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真空泵組(選配)

此設(shè)備也可以進行抽真空,配合本公司生產(chǎn)的真空泵組

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