- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
非極性氮化鎵(GaN)晶體基片
- 產(chǎn)品概述:
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差,請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù),請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同,科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)
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晶體定位面: | A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°. | 傳導(dǎo)類型: | N型;半絕緣型 | 電阻率: | R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm | 表面粗糙度: | <0.5nm | 位錯(cuò)密度: | <5x106Ω.cm | 可用表面積: | >90% | TTV: | ≤15um; |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)尺寸:10x5x0.5mm; 厚度公差:+/-0.05mm; 注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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