- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
Si-Ge晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 隨著微電子、光電器件以及放射性同位素?zé)犭姲l(fā)電機(jī)的不斷發(fā)展，人們重新對SiGe單晶材料產(chǎn)生了濃厚的興趣。當(dāng)SiGe外延層超過臨界厚度時(shí)，采用高質(zhì)量的SiGe單晶替代Ｓｉ單晶作為外延襯底材料，可以減少Ｓｉ襯底與Ｓｉ1-ｘGeｘ合金層之間過渡層的數(shù)目，避免或減少失配位錯，改善量子阱器件的性能。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
Si-Ge 晶體基片
|
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=0.5431+0.02x+0.027x2? | 電阻： | 7-8 ohm-cm | 導(dǎo)電類型： | P型不摻雜 | 生長方法： | 直拉（ＣＺ）法生長 |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | <100> | 常規(guī)尺寸： | 常規(guī)尺寸：dia4″x0.5mm； | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | < 5A |
|
| 晶體缺陷
|
人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
|
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號
查看誠信檔案
