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InSb晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 在III-V族半導(dǎo)體中，InSb化合物具有最窄禁帶寬度、最高電子遷移率、最小有效質(zhì)量和最大g 因子，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及進(jìn)行自旋電子學(xué)研究與拓?fù)淞孔佑?jì)算等前沿物理探索的理想材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
銻化銦(InSb)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | 6.06 ? | 硬度（Mohs）： | 3.8 | 密度： | 5.66g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 942℃ | 摻雜： | None;Te;Ge | 導(dǎo)電類型： | N型 和 P型 | 載流子濃度： | 1-5x1014 1-2x1015 | 位錯(cuò)密度： | <2x102 cm-2 | 生長(zhǎng)方法： | FZ 或 LCE |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | （100）
| 公差： | ±0.5o | 常規(guī)尺寸： | dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 雙拋 | 表面粗糙度： | <15? | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
|
| 晶體缺陷
|
人工金屬單晶存在常見(jiàn)晶體缺陷等。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝。 |
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