- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
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- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
?-Ga2O3單晶基片
- 產(chǎn)品概述:
- ?-Ga2O3是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料,在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ,被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測(cè)器。
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產(chǎn)品名稱
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?-Ga2O3單晶基片 |
技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 單斜晶系 | 晶格常數(shù): | a=12.23A,b=3.04A, c=5.80A, ?=103.7° | 密度: | 5.95g/cm3 | 熔點(diǎn): | 1725oC | 摻雜類型: | N型 | 電阻率: | R≤0.2Ω·cm | 遷移率 | 300cm2/v·s | 禁帶寬: | 4.8-4.9V |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | (100) | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.7-0.8mm. | 拋光情況: | 單拋、雙拋 | 表面粗糙度: | <15A | 注:尺寸可按照客戶要求定做。 |
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晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝 |
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