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- 其它實驗室設(shè)備
SBN晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 鈮酸鍶鋇(SBN)晶體是一個很好的光學(xué)和光折變材料,由于其優(yōu)良的光折變、電光、非線性光學(xué)和介電性能，并且電光系數(shù)高達(dá)1400?pm/V,?使其成為新一代設(shè)備的潛力晶體。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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SBN 晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 四方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=3.946? c=12.46? | 密度： | 5.4g/cm3 | 熔點： | 1500°C | 莫氏硬度： | 5.5 | 導(dǎo)熱系數(shù)： | 0.006 W/cm·K | EO常量： | r33:1300pm/V | 高光學(xué)均勻常數(shù)： | <1×10-4 | 介電常數(shù)： | E11=450 E32=900 | 居里溫度： | 70-80℃ | 傳輸范圍： | 400-6000 nm | 吸收系數(shù)： | 0.3cm-1 @ 0.44μm | 壓電系數(shù)： | D33 = 130 m/V | 折射率： | no=2.312 ne=2.273 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | <001>、<100> | 晶向公差： | ±2° | 常規(guī)尺寸： | 10x5x0.5mm；10x10x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | < 15A |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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