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Idea-Cu薄膜蒸鍍厚度探索

發(fā)布時(shí)間:2020-07-16

使用GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si片上蒸鍍Cu,探索設(shè)備蒸鍍膜厚最大及最小值。

實(shí)驗(yàn)過(guò)程:

圖片1.jpg  1.jpg

1設(shè)備                        圖2蒸發(fā)料

原料:銅段(蒸發(fā)料,銅導(dǎo)線內(nèi)芯),Si基底(酒精超聲清洗30min,后使用去離子水超聲清洗30min,真空烘箱70℃烘干)。使用分子泵抽真空,待真空度到達(dá)100時(shí),利用氮?dú)鈱?duì)腔室進(jìn)行洗氣三至四次。洗氣結(jié)束,待分子泵抽真空至10-4Torr,開(kāi)始給爐子加熱,升溫曲線0.6℃/s,升溫至相應(yīng)溫度,玻璃罩出現(xiàn)金屬色后打開(kāi)擋板蒸鍍。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下

1.jpg

2.jpg

結(jié)論

1、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu,最?。ず駜x可檢測(cè))可蒸鍍至14.8nm

2GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu,最厚(起皮前)可蒸鍍至37.72μm

特別聲明:

1. 以上所有實(shí)驗(yàn)僅為初步探究,僅供參考。由于我們水平有限,錯(cuò)誤疏漏之處歡迎指出,我們非常期待您的建議。

2. 歡迎您提出其他實(shí)驗(yàn)思路,我們來(lái)驗(yàn)證。

3. 以上實(shí)驗(yàn)案例及數(shù)據(jù)只針對(duì)科晶設(shè)備,不具有普遍性。

4. 因?yàn)樯婕氨C軉?wèn)題,以上數(shù)據(jù)僅為部分?jǐn)?shù)據(jù),歡迎老師與我們聯(lián)系,我們非常期待和您共同探討設(shè)備的應(yīng)用技術(shù)。


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