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③ 晶體生長-布里奇曼法

發(fā)布時間:2020-06-09

     布里奇曼技術是一種生長單晶錠或單晶花束的方法。 它是一種常用的生產某些半導體晶體的方法,如砷化鎵、II-V晶體(ZnSe, CdS, CdTe)和BGO,其中提拉過程更困難,該方法涉及容器中加熱多熔點以上的多晶材料,并從子晶所在的一端緩慢冷卻。 單晶材料沿容器的長度逐漸形成。 該過程可以沿水平或垂直方向進行。


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